Modules de puissance à rendement élevé et faible encombrement
Les nouveaux modules PIM (Power Integrated Module) NXH160T120T120L2Q1SG et NXH160T120L2Q2F2F2SG d’ON semiconductor facilitent largement le travail des concepteurs, en leur fournissant des solutions compactes et très intégrées, dans des boîtiers faciles à monter, qui font gagner de la place et qui réduisent les coûts.

Ces dispositifs, disponibles en boîtiers Q1 et Q2 pour les onduleurs de 30 KW et 50 KW, intègrent des IGBT “trench” et des diodes à récupération rapide, qui réduisent les pertes de conduction et de commutation, tout en permettant aux concepteurs de faire des compromis entre une tension VCE(SAT) faible et de faibles pertes EON / EOFF, afin d’optimiser au mieux la performance du circuit.  Le substrat DBC (Direct Bond Copper) permet  un fonctionnement à courant élevé avec un minimum d’effets parasites, ce qui donne la possibilité d’atteindre des vitesses de commutation élevées, associées à un isolement de 3kVeff et à une distance de fuite de 12,7 mm. Par ailleurs, la société ON a annoncé le nouveau FDMF3170, un module SPS (Smart Power Stage) multi-puces, ultra-compact et entièrement optimisé pour les convertisseurs abaisseurs DC-DC utilisés dans les serveurs, les centres de données, les accélérateurs d’intelligence artificielle et les équipements de télécommunications.  Il intègre deux MOSFET de puissance ON semiconductor hautes performances à technologie PowerTrench, et un driver intelligent doté d’un capteur de courant de haute précision, pour optimiser les performances du processeur. 

Les usines intelligentes diagnostiquent les défauts d’étanchéité de manière intelligente… sans fil !

Répondre aux besoins de l’IoT grâce à la connectivité LPWAN