MOFSET SiC de 1200 V à résistance ultra-faible
Littelfuse, Inc. et Monolith semiconductor Inc., développeur texan de technologies au carbure de silicium (SiC), annoncent le lancement de deux MOSFET canal N à enrichissement au carbure de silicium (SiC) de 1 200 V qui viennent s’ajouter à leur portefeuille de dispositifs semi-conducteurs de puissance de première génération en pleine expansion. Ces nouveaux MOSFET SiC sont les derniers-nés du partenariat stratégique conclu en 2015 par Littelfuse et Monolith dans le but de développer des semi-conducteurs de puissance destinés aux marchés de l’industrie et de l’automobile. 


Les MOSFET SiC LSIC1MO120E0120 et LSIC1MO120E0160 se caractérisent par des niveaux respectifs de résistance à l’état passant (RDS(ON)) ultra-faibles de seulement 120 milliohms et 160 milliohms. Ces MOSFET SiC sont conçus pour être utilisés en tant que commutateurs semi-conducteurs de puissance dans une vaste gamme de systèmes de conversion de puissance. Ils dépassent largement les performances des MOSFET standard en silicium en termes de tension de blocage, de résistance spécifique à l’état passant et de capacitance de jonction. Ils associent également des tensions de fonctionnement élevées et une commutation ultra-rapide que les transistors de puissance traditionnels tels que les IGBT en silicium (à courant nominal et boîtier équivalents) ne sont pas en mesure d’égaler.

Diodes Schottky réduisant les pertes de commutation

Thyristors de protection contre les surtensions