ROHM dévoile son IGBT 3e génération
ROHM semiconductor a présenté la technologie de la famille IGBT 650V 3e génération qui, grâce à sa structure la plus avancée et à ses caractéristiques avantageuses, offre une solution idéale pour la commutation progressive à haut rendement dans les applications industrielles et les appareils ménagers.

Les semi-conducteurs de puissance disposant des technologies IGBT, qui sont déployés dans de nombreux types d’applications haute tension, sont de plus en plus populaires. L’objectif de ces composants est d’atteindre le haut rendement et la fiabilité tout en conservant de faibles niveaux de pertes. En élargissant sa gamme existante d’IGBT haute capacité en courant avec une tension de saturation plus basse et une commutation plus rapide, ROHM introduit aujourd’hui sa 3 e génération d’IGBT haut rendement. Les nouveaux dispositifs utilisent une structure de puce électronique plus fine ainsi que des technologies propriétaires de limitation de champ électrique et de grille en tranchée pour des performances à l’état de l’art permettant de répondre au besoin croissant de commutation haute fréquence.

Basés sur une structure avancée de limitation de champ, les IGBT 650V 3 e génération de ROHM offrent un gradient de concentration de porteurs moins important dans la région de dérive, entraînant une meilleure distribution du courant porteur. Une tension de saturation plus faible et une commutation plus rapide sont alors possibles, ce qui permet de s’affranchir des compromis entre tension de saturation et perte de coupure des solutions conventionnelles.